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- 英特尔3D晶体管技术
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英特尔3D晶体管技术
摘要:英特尔3D晶体管技术Intel 22nm制程tri-gate晶体管实物Inteltri-gate晶体管结构图继四年前首度启用HKMG工艺制作商用处理器之后，全球最大的半导体厂商Intel又一次站在了业界前列，这一次他们用实际行动宣告与传统的平面型晶体管技术彻底告别。如先前外界所预料的那样，本周三Intel举办了一次新闻发布会，会上Intel高管Mark Bohr宣布Intel在22nm制程处理器中全面启用tri-gate晶体管技术，他并表示tri-gate晶体管技术的启用可以极大地减小晶体管的工[阅读全文] - 编辑:|浏览:
- 英特尔3D晶体管
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英特尔3D晶体管
摘要:英特尔3D晶体管英特尔（Intel）新一代芯片的3D晶体管延续了50年来芯片速度更快、封装更密集的趋势。“[戈登]摩尔（Gordon Moore）是我的老板，如果你的老板定下一条规矩，那么你最好还是遵守，”马克∙波尔（Mark Bohr）说道，他领导了英特尔推进微型芯片设计投入生产的工作。最近，英特尔代号为Ivy Bridge的最新处理器产品系列发布后，摩尔的预测看来仍然有效。这是首次有企业采用22纳米（目前最精细的芯片为32纳米）技术推出的芯片，使晶体[阅读全文] - 编辑:|浏览:
- 3D晶体管
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3D晶体管
3-D晶体管
3D晶体管技术
摘要:晶体管是现代电子学的基石，而Intel此举堪称晶体管历史上最伟大的里程碑式发明，甚至可以说是“重新发明了晶体管”。半个多世纪以来，晶体管一直都在使用2-D平面结构，现在终于迈入了3-D三维立体时代。英特[阅读全文] - 编辑:|浏览:
- 计算机晶体管时代
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计算机晶体管时代
摘要:计算机晶体管时代晶体管比电子管小得多，不需要暖机时间，消耗能量较少，处理更迅速、更可靠。第二代计算机的程序语言从机器语言发展到汇编语言。第一台通用可编程电子计算机系统于1946年由宾夕法尼亚大学研制成功[阅读全文] - 编辑:|浏览:
- 有机晶体管
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有机晶体管
有机薄膜晶体管
OTFT
摘要:有机晶体管初露锋芒新款电子阅读器率先使用该技术近日在拉斯维加斯举行的美国消费电子展中，Plastic Logic宣布了第一款基于有机晶体管的消费产品的相关细节，在过去的20年内，该技术一直仅限于实验室中[阅读全文] - 编辑:|浏览:
- 分子晶体管
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分子晶体管
摘要:科学家创造出世界首个分子晶体管美国耶鲁大学网站2009年12月23日报道称，一个由耶鲁大学和韩国光州科技学院的研究人员组成的研究小组，用单个苯分子成功创造出世界上首个分子晶体管。其研究成果发表在近期的《[阅读全文] - 编辑:|浏览:
- 晶体管计算机
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晶体管计算机
摘要:晶体管计算机 1954年，美国贝尔实验室研制成功第一台使用晶体管线路的计算机，取名“催迪克”（TRADIC - Transistorized Airborne Digital Computer），装有[阅读全文] - 编辑:|浏览:
- 晶体管计算机
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晶体管计算机
摘要:晶体管计算机 1954年，美国贝尔实验室研制成功第一台使用晶体管线路的计算机，取名“催迪克”（TRADIC - Transistorized Airborne Digital Computer），装有[阅读全文] - 编辑:|浏览:
- 晶体管计算机
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晶体管计算机
摘要:晶体管计算机 1954年，美国贝尔实验室研制成功第一台使用晶体管线路的计算机，取名“催迪克”（TRADIC - Transistorized Airborne Digital Computer），装有[阅读全文] - 编辑:|浏览:
- 晶体管60年
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晶体管60年
摘要:晶体管60年历程 60年前，科学家们在贝尔实验室证明了20世纪最重要的发明：第一只真正的晶体管。 很难说电子时代起源于何时，但是，WilliamSturgeon在1825年对电磁石的发展，为Josep[阅读全文] - 编辑:|浏览:
- 晶体管的历史
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晶体管的历史
摘要:晶体管的历史现在晶体管和微型电路几乎无所不能，无处不在。小到人们日常生活中的助听器、收音机、录音机和电视机，大到实验室仪器、工业生产及国防设备、计算机、机器人、宇宙飞盘等，都离不开晶体管。可以毫不夸张地[阅读全文] - 编辑:|浏览:
- 晶体管60年发展之路
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晶体管60年发展之路
摘要:晶体管60年发展之路 贝尔实验室的“晶体管”发明纸镇60年前，贝尔实验室（Bell Labs）的科学家为全世界带来了一项20世纪最伟大的发明——第一个实际意义的晶体管！虽然很难说清电子时代是何时开始的，[阅读全文] - 编辑:|浏览:
- 晶体管发展60年编年史
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晶体管发展60年编年史
晶体管
摘要:晶体管发展60年编年史 前言：60年前，一个晶体管大的可以握在手中，今天一个1厘米见方的芯片中可以整合8.2亿个晶体管；60年前，晶体管技术是最尖端的技术，今天这项技术已经普及到大多数人几乎[阅读全文] - 编辑:|浏览:
- 441—B计算机
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中国首台441—B晶体管计算机
441-B
441-B机
摘要:441-B软件鼻祖——不穿军装的哈军工精神作者：徐祖哲熊十力先生在新中国建国之初说过:凡一国之历史,其对于民族思想之指示,与民族力量之启发,恒于不知不觉之间,隐操大柄。 一九五一年，熊十力先生在致董必武[阅读全文] - 编辑:|浏览:
- 晶体管大事记
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晶体管
大事记
摘要:晶体管的历史（一）—晶体管的发明和应用 1947年12月，美国贝尔实验室的肖克莱、巴丁和布拉顿组成的研究小组，研制出一种点接触型的锗晶体管。晶体管的问世，是20世纪的一项重大发明，是微电子革命[阅读全文] - 编辑:|浏览:
- 静电感应晶体管
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静电感应晶体管
摘要:静电感应晶体管 正文 源漏电流受栅极上的外加垂直电场控制的垂直沟道场效应晶体管,简称SIT。静电感应晶体管是一种新型器件，可用于高保真度的音响设备、电源、电机控制、通信机、电视差转机以及雷达、导航和各种电子仪器中。 1952年日本的渡边、西泽等人提出模拟晶体管的模型，1971年9月日本西泽润一发表SIT的研究结果。在70年代中期，它作为音频功率放大器件在日本国内得到了迅速的发展，先后制出最高截止频率10兆赫、输出功率1千瓦和30兆赫、输出功率达2千瓦的静电感应晶体管。1974年之[阅读全文] - 编辑:|浏览:
- 晶体管历史
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晶体管历史
摘要:文字名1947年12月16日：威廉·邵克雷(William Shockley)、约翰·巴顿(John Bardeen)和沃特·布拉顿(Walter Brattain)成功地在贝尔实验室制造出第一个晶体管。 1950年：威廉·邵克雷开发出双极晶体管(Bipolar Junction Transistor)，这是现在通行的标准的晶体管。 1953年：第一个采用晶体管的商业化设备投入市场，即助听器。 1954年10月18日：第一台晶体管收音机Regency TR1投入市场，仅包含4只锗晶体管。 [阅读全文] - 编辑:|浏览:
- 晶体管
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晶体管
摘要:晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于放大、开关、稳压、信号调制和许多其他功能。晶体管作用在开关式电源上的大功率晶体管。为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可[阅读全文] - 编辑:|浏览:
- MOS晶体管
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MOS晶体管
摘要: MOS晶体管金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC mos晶体管的基本结构MOSFET的结构MOSFET是Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor的英文缩写，平面型器件结构，按照导电沟道的不同可以分为NMOS和PMOS器件。MO[阅读全文] - 编辑:|浏览:
- 多晶硅发射极晶体管
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多晶硅发射极晶体管
摘要:多晶硅发射极晶体管多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，如这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。 多晶硅是用于太阳能电池、半导体、液晶显示屏等方面的重要材料..而掺杂的多晶硅膜则可用作双极晶体管的发射极和MOS器件的栅极.用重掺杂多晶硅作为CMOS晶体管的栅极和NPN晶体管的发射极，可以获得较薄的结深，减小栅极和发射极的寄生参数，从而提高器[阅读全文] - 编辑:|浏览:
- 单结晶体管
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单结晶体管
摘要:单结晶体管单结晶体管（简称UJT）又称基极二极管，它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。其结构、符号和等效电呼如图所示。简单介绍只有一个PN结作为发射极而有两个基极的三端半导体器件，早期称为双基极二极管。其典型结构是以一个均匀轻掺杂高电阻率的N型单晶半导体作为基区,两端做成欧姆接触的两个基极，在基区中心或者偏向其中一个极的位置上用浅扩散法重掺杂制成 PN[阅读全文] - 编辑:|浏览:
- 单电子晶体管
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单电子晶体管
摘要: 趋势 用一个或者少量电子就能记录信号的晶体管。随着半导体刻蚀技术和工艺的发展，大规模集成电路的集成度越来越高。以动态随机存储器(DRAM)为例，它的集成度差不多以每两年增加四倍的速度发展，预计单电子晶体管将是最终的目标。目前一般的存储器每个存储元包含了20万个电子，而单电子晶体管每个存储元只包含了一个或少量电子，因此它将大大降低功耗，提高集成电路的集成度。 原理 1989年斯各特(J.H. F.Scott-Thomas)等人在实验上发现了库仑阻塞现象。在调制搀杂异质结[阅读全文] - 编辑:|浏览:
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