摘要:多晶硅发射极晶体管多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核,这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,如这些晶粒结合起来,就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料,多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。 多晶硅是用于太阳能电池、半导体、液晶显示屏等方面的重要材料..而掺杂的多晶硅膜则可用作双极晶体管的发射极和MOS器件的栅极.用重掺杂多晶硅作为CMOS晶体管的栅极和NPN晶体管的发射极,可以获得较薄的结深,减小栅极和发射极的寄生参数,从而提高器[阅读全文]