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方兴东
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毛泽东时代中美计算机差距 发表评论(0) 编辑词条

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毛泽东时代计算机上中国与美国的差距编辑本段回目录

欧洲华人报2007年12月20日讯:
 
讲创新创造,讲工业,讲制造,不要草率的说过去怎么怎么差,现在怎么怎么好;国有怎么怎么僵化,私有怎么怎么强大。凡事都要讲证据。
  以我国计算机发展为例,这个算高科技吧?以下是我找到的资料(申明,不是原创):
  第一代计算机采用电子管。美国研制出第一代计算机用了4年(1943-1946,标志:宾夕法尼亚大学莫尔学院的ENIAC),而中国通过学习苏联的技术,仅用3年就完成了(1956-1958,标志:中科院计算所的103机),并生产了50台左右。
  第二代计算机采用晶体管。美国从第一代计算机进入第二代计算机花了9年时间(1946-1954,标志:贝尔实验室的TRADIC),中国用了7年(1958-1964,标志:哈尔滨军事工程学院,即国防科技大学前身的441B机),生产了约200台。
  第三代计算机采用中、小规模集成电路。这段发展过程美国用了11年(1954-1964,标志:IBM公司的IBM360),中国用了7年时间(1964-1970,标志:中科院计算所的小规模集成电路通用数字电子计算机"111机"。我国研制的第三代计算机品种非常多。例如,北京大学、北京有线电厂和燃化部等单位联合研制的150机于1973年完成;借鉴美国IBM公司16位小型机技术的DJS-100机也于该年(1973)研制成功,它的硬件为自行设计,软件兼容;1976年11月,中国科学院计算所研制成功1000万次大型电子计算机"013机";等等
  第四代计算机采用大规模和超大规模集成电路,今天的计算机都属于第四代计算机。这个过程美国用了9年(1964-1972,标志:美国国防部高级研究规划署与伊利诺斯大学联合研制的ILLIAC-IV),中国用了8年(1970-1977,标志:航天部陕西骊山微电子公司的77型机)。77型机是中国第一台自行设计研制的,采用大规模集成电路的16位微型计算机。另外,参照美国Intel8008机型的国产DJS-050微机,也于该年(1977)由清华大学等单位仿制成功并通过鉴定。
  以上成就,都是在国有体制下,由国有大学、科研机构完成的。我们在计算机上比美国起步晚了13年,但是以第四代计算机为标志,我们已经把差距缩小到5年!八十年代以来的事情,我就不多说了,差距又有多大,大家心里也清楚。
  九十年代以后,开始亡羊补牢,龙芯系列诞生。有趣的是,"龙芯"系列CPU的主设计师、青年科学家胡伟武经常强调要学习毛泽东思想,要用毛泽东思想来武装自己的头脑。为了纪念毛主席诞辰110周年,他还把"龙芯2号"芯片命名为"毛泽东110"。他说:"我们年青一代如何学习毛泽东思想是我在科研工作中一直都在思考的问题,我觉得自己对中国近现代史、对毛主席了解得越多,心里对毛主席就越敬佩,我在计算所经常说要用毛泽东思想来武装我们的课题组。"
  仅仅是阿谀奉承?不见得吧。
  讲创新,不说别的,先看R&D费用在GDP的比例。在整个毛泽东时代,我国用于科技研发的经费占国民生产总值的比例,平均在1.28%,达到当时几个初等发达国家的平均水平(如意大利、西班牙)。到了毛泽东时代后期,随着我国经济实力的不断增强,这个指标增加到2.32%,达到同期几个最发达国家英、法、西德的水平,仅比当时的美国、日本低一些(美国长期为2.8-3.0%,日本70年代以前1.6%,进入70年代后与美国接近)这个数字如果拿到今天,甚至比2003年全世界发达国家的平均值2.2%还要高。
  而到了八十年代,这个数字陡然降到1%以下,甚至低到0.6%,直到2000年,才又恢复到1%。
  当然我承认,要说科研转化为生产力,当年的计算机研究做的"不好",起码没有形成大规模产业化,没有造福国民经济。可是在当年那样艰苦的条件下,我们可以有这样的成绩,能够把差距大大缩小,你还能要求更多吗?否则,现在条件这么好,又是私营又是物质利益,我们不是早该翻着跟斗超过美国吗?
1947年,美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管,从而开创了人类的硅文明时代。
1956年,我国提出"向科学进军",根据国外发展电子器件的进程,提出了中国也要研究半导体科学,把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。中国科学院应用物理所首先举办了半导体器件短期培训班。请回国的半导体专家黄昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。在五所大学--北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学开办了半导体物理专业,共同培养第一批半导体人才。培养出了第一批著名的教授:北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德、吉林大学的高鼎三。1957年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元(北京大学微电子所所长)、工程院院士许居衍(华晶集团中央研究院院长)和电子工业部总工程师俞忠钰(北方华虹设计公司董事长)。
1957年,北京电子管厂通过还原氧化锗,拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年,中国相继研制出锗点接触二极管和三极管(即晶体管)。
1958年,美国德州仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路(IC)之后,发展极为迅猛,从SSI(小规模集成电路)起步,经过MSI(中规模集成电路),发展到LSI(大规模集成电路),然后发展到现在的VLSI(超大规模集成电路)及最近的ULSI(特大规模集成电路),甚至发展到将来的GSI(甚大规模集成电路),届时单片集成电路集成度将超过10亿个元件。
1959年,天津拉制出硅(Si)单晶。
1960年,中科院在北京建立半导体研究所,同年在河北建立工业性专业化研究所--第十三所(河北半导体研究所)。
1962年,天津拉制出砷化镓单晶(GaAs),为研究制备其他化合物半导体打下了基础。
1962年,我国研究制成硅外延工艺,并开始研究采用照相制版,光刻工艺。
1963年,河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。
1964年,河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。
1965年12月,河北半导体研究所召开鉴定会,鉴定了第一批半导体管,并在国内首先鉴定了DTL型(二极管--晶体管逻辑)数字逻辑电路。1966年底,在工厂范围内上海元件五厂鉴定了TTL电路产品。这些小规模双极型数字集成电路主要以与非门为主,还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。
1968年,组建国营东光电工厂(878厂)、上海无线电十九厂,至1970年建成投产,形成中国IC产业中的"两霸"。
1968年,上海无线电十四厂首家制成PMOS(P型金属-氧化物半导体)电路(MOSIC)。拉开了我国发展MOS电路的序幕,并在七十年代初,永川半导体研究所(现电子第24所)、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。之后,又研制成CMOS电路。
七十年代初,IC价高利厚,需求巨大,引起了全国建设IC生产企业的热潮,共有四十多家集成电路工厂建成,四机部所属厂有749厂(永红器材厂)、871(天光集成电路厂)、878(东光电工厂)、4433厂(风光电工厂)和4435厂(韶光电工厂)等。各省市所建厂主要有:上海元件五厂、上无七厂、上无十四厂、上无十九厂、苏州半导体厂、常州半导体厂、北京半导体器件二厂、三厂、五厂、六厂、天津半导体(一)厂、航天部西安691厂等等。
1972年,中国第一块PMOS型LSI电路在四川永川半导体研究所研制成功。
1973年,我国7个单位分别从国外引进单台设备,期望建成七条3英寸工艺线,最后只有北京878厂,航天部陕西骊山771所和贵州都匀4433厂。
1976年11月,中国科学院计算所研制成功1000万次大型电子计算机,所使用的电路为中国科学院109厂(现中科院微电子中心)研制的ECL型(发射极耦合逻辑)电路。
1982年,江苏无锡的江南无线电器材厂(742厂)IC生产线建成验收投产,这是一条从日本东芝公司全面引进彩色和黑白电视机集成电路生产线,不仅拥有部封装,而且有3英寸全新工艺设备的芯片制造线,不但引进了设备和净化厂房及动力设备等"硬件",而且还引进了制造工艺技术"软件"。这是中国第一次从国外引进集成电路技术。第一期742厂共投资2.7亿元(6600万美元),建设目标是月投10000片3英寸硅片的生产能力,年产2648万块IC成品,产品为双极型消费类线性电路,包括电视机电路和音响电路。到1984年达产,产量达到3000万块,成为中国技术先进、规模最大,具有工业化大生产的专业化工厂。
1982年10月,国务院为了加强全国计算机和大规模集成电路的领导,成立了以万里副总理为组长的"电子计算机和大规模集成电路领导小组",制定了中国IC发展规划,提出"六五"期间要对半导体工业进行技术改造。
1983年,针对当时多头引进,重复布点的情况,国务院大规模集成电路领导小组提出"治散治乱",集成电路要"建立南北两个基地和一个点"的发展战略,南方基地主要指上海、江苏和浙江,北方基地主要指北京、天津和沈阳,一个点指西安,主要为航天配套。
1986年,电子部厦门集成电路发展战略研讨会,提出"七五"期间我国集成电路技术"531"发展战略,即普及推广5微米技术,开发3微米技术,进行1微米技术科技攻关。

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标签: 中美计算机差距

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