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全球集成电路产业50周年大事记 发表评论(0) 编辑词条

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集成电路发展大事记 编辑本段回目录

  1947年:贝尔实验室肖特莱等人发明了晶体管,这是微电子技术发展中第一个里程碑;
  1950年:结型晶体管诞生;
  1950年: R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺;
  1951年:场效应晶体管发明;
  1956年:C S Fuller发明了扩散工艺;
  1958年:仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路,开创了世界微电子学的历史; 
  1960年:H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺
  1962年:美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管;
  1963年:F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术,今天,95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺;
  1964年:Intel摩尔提出摩尔定律,预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍;
  1966年:美国RCA公司研制出CMOS集成电路,
  并研制出第一块门阵列(50门);
  1967年:应用材料公司(Applied Materials)成立,现已成为全球最大的半导体设备制造公司;
  1971年:Intel推出1kb动态随机存储器(DRAM),标志着大规模集成电路出现;
  1971年:全球第一个微处理器4004由Intel公司推出,采用的是MOS工艺,这是一个里程碑式的发明;
  1974年:RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802;
  1976年:16kb DRAM和4kb SRAM问世;
  1978年:64kb动态随机存储器诞生,不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管,标志着超大规模集成电路(VLSI)时代的来临;
  1979年:Intel推出5MHz 8088微处理器,之后,IBM基于8088推出全球第一台PC
  1981年:256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世;
  1984年:日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM;
  1985年:80386微处理器问世,20MHz;
  1988年:16M DRAM问世,1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管,标志着进入超大规模集成电路(ULSI)阶段;
  1989年:1Mb DRAM进入市场;
  1989年:486微处理器推出,25MHz,1μm工艺,后来50MHz芯片采用0.8μm工艺;
  1992年:64M位随机存储器问世;
  1993年:66MHz奔腾处理器推出,采用0.6μm工艺;
  1995年:Pentium Pro, 133MHz,采用0.6-0.35μm工艺;
  1997年:300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μm工艺;
  1999年:奔腾Ⅲ问世,450MHz,采用0.25μm工艺,后采用0.18μm工艺;
  2000年: 1Gb RAM投放市场;
  2000年:奔腾4问世,1.5GHz,采用0.18μm工艺;
  2001年:Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工艺。
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 1958

    德州仪器的JackKilby展示全球第一块集成电路(IC),结束了之前10年只能采用分立晶体管的历史。

    NEC成立日本第一个规模量产的晶体管厂。

    1959

    国家半导体公司成立。

    飞兆半导体的RobertNoyce将IC进一步商用化并推向市场。平面晶体管技术诞生。

    1960

    DigitalEquipment公司推出第一台MINI计算机PDP-1。

    AT&T发明第一个调制解调器

    1961

    德州仪器研发出第一个基于集成电路的计算机。

    摩托罗拉首次采用贝尔实验室的epitaxial技术,将半导体制造推向规模量产。

    1962摩托罗拉推出第一个基于晶体管的对讲机Handi-TalkieHT-200。

    1963

    多家公司开始量产IC。

    F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术。

    1964

    德州仪器推出第一块用于消费电子产品助听器)的IC。

    IBM发布其首台计算机——System/360。

    全球IC出货量首次超10亿美元。

    1965

    GordonMoore提出著名的摩尔定律。

    BobWidlar发明运算放大器。

    中国第一块半导体集成电路研制成功。

    1967

    德州仪器发明第一个手持计算器。

    摩托罗拉推出第一台全晶体管彩色电视机。

    1968AndyGrove,RobertNoyce和GordonMoore创立英特尔公司;同年英特尔推出第一片1kRAM。

    1969Apollo登月,对半导体器件应用起到极大推动作用。

    1970英特尔推出第一片DRAM。

    1971

    英特尔发明SRAMEPROM

    英特尔推出微处理器4004,将计算机的大脑集成在一个芯片上。

   德州仪器推出单芯片微处理器。

    IBM的AlanShugart发明软磁盘

    1972

   HP发明第一个可装入口袋的计算机。

    英特尔开始采用3英寸晶圆。

    1973

    摩托罗拉推出便携式蜂窝无线电话,它也是我们现在基于调制解调器手机的先驱。

    VintonCerfDarpa发明互联网。

    1974

 Zilog推出第一个微处理器Z80

    摩托罗拉推出6800微处理器。

    施乐发明内置鼠标

    全球集成电路产业50周年大事记

    1975

    第一台个人电脑Altair上市。英特尔CPU时钟频率可达2MHz。

    BillGatesPaulAllen创立微软公司。

    1976

    SteveWozniakSteveJobs推出苹果电脑,这是全球第一台能进

    行文字处理的电脑。

    英特尔开始采用4英寸晶圆。

    1978

    Micron成立,作为一家半导体设计顾问公司。

    德州仪器推出第一个单芯片语音处理器,用于Speak&Spell玩具。

    1979

    摩托罗拉推出第一个16位微处理器并被苹果电脑采用,它具有每秒处理200万次计算的能力。

    贝尔实验室推出单芯片数字信号处理器,可支持语音压缩过滤和纠错功能,比多芯处片完成速度更快功能更好。

    全球半导体销售超过100亿美元。

    1980

   联电成立,生产电子表、计算器与电视用IC。

    IBM进入PC领域,成为最大的微处理器用户。

    摩托罗拉推出第一款寻呼机

    1981

    LSILogic推出门阵列产品,它是全球第一个半定制的芯片。

    第一台具有两个软盘、支持彩显的PC上市,采用英特尔8088处理器,时钟速率达到800MHz。

 1982

    VLSI推出标准信元、预定义电路,用作定制芯片。

    德州仪器推出单芯片DSP。

    1983

    摩托罗拉推出第一个蜂窝电话。

    Altera发明第一个PLD。

   三星半导体成立,开发64KbDRAM。

    英特尔开始采用6英寸晶圆。

    1984

    德州仪器进入6英寸CMOS工艺。

    第一个芯片保护法诞生,开创新型知识产权保护模式。

    IBM研发出1MbitRAM。

    Xilinx发明第一块现场可编程器件FPGA。

    苹果推出Macintosh电脑。

    1985

   NEC登上全球半导体第一的宝座,并且持续7年在第一的位置。

    英特尔分离出DRAM业务,同时德州仪器等众多公司进入DRAM市场。

    台湾工研院与华智公司发展成功1.5微米CMOS256KDRAM。

    三星大规模量产256KDRAM。

    1986

    美国与日本签定合约结束反倾销,使日本开始复苏,并取代美国成为全球最大半导体生产地,占据全球一半以上份额,其产品覆盖MCUASIC以及分立半导体等多个领域。

    美国11家DRAM厂商中有9家离开该市场。

    Compaq推出386PC。

    1987

    意大利SGS半导体公司和法国汤姆逊半导体合并成立意法半导体。

    台积电成立。

    大智硅统扬智瑞昱诠华华展群立普腾等IC设计公司成立。

    1988

    精简指令集(RISC)技术商用,提供更快和更少存储需求。

    上海飞利浦半导体公司(现上海先进)成立。

    1989

    Compaq推出LTE/286的笔记电脑。

    中国华晶电子集团公司成立。

    三星电子与三星半导体合并。

    1990

    业界开始转向8寸晶圆厂。

    英特尔与台积电、联电合作生产内存。

    三星推出16MbDRAM。

    互联网用户达到10万。

    中国实施九0八工程。

    1991

    华邦成功开发首颗64KSRAM。

    首钢NEC电子有限公司成立。

    1992

    英特尔开始采用8英寸晶圆。

    三星成为全球最大的DRAM厂商。

    台湾地区各半导体厂陆续进入0.6微米制程。

    微软推出Windows3.1

    1993

    三星建立第一个8英寸晶圆厂,同年成为全球最大的存储器厂商。

    凭借PC需求的迅速增长,美国再超日本成为全球芯片销量第一的国家。

    IBM和摩托罗拉推出首个用于PC的RISC芯片。

    1994

    三星推出全球第一块256Mb的DRAM。

    联电、华邦开发完成0.5微米制程。

    世界先进、力晶分别成立8英寸DRAM厂。

    全球半导体市场首次超过1000亿美元。

    1995

    NEC开发出全球第一块1GbDRAM。

    南亚成立。

    1996

    三星推出1GbDRAM。同时,三星在美奥斯汀建厂。

    茂德成立。

    由于电脑、网络、电话和通信市场的迅速增长,欧美半导体厂商处

    于鼎盛期,芯片出货量大幅上升。

    1997

    3COM的第一款56kbpsMODEM采用了德州仪器的DSP芯片。

    从1993年到1997年,联电将原有IC设计部门分割成为独立的设计公司,催生了智原、联发科、联咏、联笙、联杰、盛群等IC设计公司。

    上海华虹NEC电子有限公司组建,总投资为12亿美元,主要承担

    “九0九”工程。

    1998

    三星宣布推出首块128M闪存。

    九0八主体工程华晶项目通过验收,这条从朗讯科技公司引进生产线采用0.9微米生产6英寸晶圆片。

    1999

    全球半导体市场出现转折,需求拉动由PC转向消费电子市场。

    三星发布第一块1G闪存原型。

    上海华虹NEC电子有限公司建成试投片,工艺技术从计划中的0.5微米提升到了0.35微米,主导产品为64M同步动态存储器。

    2000

    台积电成立第一座12寸晶圆厂。

    三星半导体进入LCD驱动器和FlashMCU领域。同时,三星半导体收入超过100亿美元。

    英飞凌从西门子剥离,引发全球半导体部门从母公司剥离的高潮。

    全球半导体销售超过2000亿美元。

    2001

    德州仪器建成300mm晶圆厂。

    联电和茂德分别成立300mm晶圆厂。

    三星512MbNAND闪存进入量产,推出数字音频SoC

    2002

    英特尔采用12英寸晶圆并引入90nm工艺。

    德州仪器采用90nmCMOS工艺。

    中芯国际开始批量生产0.18微米、8英寸芯片产品。

    三星成为全球最大的NAND闪存厂商。

    曾经是全球最大的NEC半导体从母公司分离。

    2003

    台积电第二座300mm晶圆厂成立,树立了全球最大晶圆厂的地位。

    三星推出第一款4GbNAND闪存。

    三星推出533MHzMobileCPU,用于智能手机和PDA,开始挑战欧美厂商在该市场的地位。

    日本三菱电机和日立合并半导体部门,成立瑞萨科技

    2004

    德州仪器宣布单芯片手机,并发布65nm工艺。

    摩托罗拉分拆半导体部门,飞思卡尔半导体成立。

    2005

    IC发明人之一JackKilby去世。

    中星微电子在美国纳斯达克上市,成为第一家在美国上市的中国IC设计公司,随着珠海炬力也成功上市。

    2006

    三星、IBM和特许半导体共同为高通生产出第一片90nm处理器。

   三星推出基于32Mb闪存的固态硬盘SSD,使闪存在PC中逐渐替代硬盘成为趋势。

    飞利浦半导体和飞思卡尔等半导体公司相续被私募基金收购,引发半导体业一次新的变革。

    RoHS指令在欧盟开始实施。

    2007

    英特尔45nmCPU进入规模量产。

    三星发布50nm16GbNAND闪存,可用于SSD。同时其60nmDRAM进入规模量产。

    金属栅极/高介电常数(high-K)成功采用,将摩尔定律再延伸至少 10年。 

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