概念编辑本段回目录
锗三极管 |
主要参数编辑本段回目录
锗三极管 |
b.工作电压/电流:用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围.
c.hFE:电流放大倍数.
d.VCEO:集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压.
e.PCM:最大允许耗散功率.
f.封装形式:指定该管的外观形状,如果其它参数都正确,封装不同将导致组件无法在.
硅管和锗管编辑本段回目录
三极管中硅管和锗管的区别有两点:
一是导通电压不同硅管是0.65V锗管是0.2-0.3V
二是硅管正向电阻较大一般在几千欧。锗管正向电阻在几百欧。
硅管的热稳定性好。锗管的热稳定性差。
硅半导体材料多。现在的半导体一般都是硅管。