1959年，美国贝尔实验室的John Atalla和Dawon Kahng研发出首个绝缘栅型场效应晶体管。场效应管虽然当时速度不如双极型晶体管快，但体积更小，也更省电。
1960年金属氧化物半导体（MOS）晶体管展示。John Atalla 和 Dawon Kahng 制造了可工作的晶体管，并演示了第一个成功的MOS场效应放大器。
Dr. Dawon Kahng, 61, Inventor In Field of Solid-State Electronics编辑本段回目录
By LEE A. DANIELS
Dawon Kahng
Dawon KahngPublished: Thursday, May 28, 1992
Dr. Dawon Kahng, the president of the NEC Research Institute and a physicist whose inventions led to significant advances in electronic technology, died on May 13 at St. Peter's Hospital in New Brunswick, N.J. He was 61 years old and lived in Princeton, N.J.
Dr. Kahng died of complications following emergency surgery for a ruptured aortic aneurysm, said Star Wilmarth, a spokeswoman for the institute.
Born in Seoul, South Korea, Dr. Kahng emigrated to the United States in 1955 to attend Ohio State University, where he received a doctorate in physics in 1959. He joined Bell Telephone Laboratories (now AT&T Bell Laboratories) in Murray Hill, N.J., and over the next two decades was an inventor in the field of solid-state electronics.
Dawon KahngDr. Kahng received many honors. He was a fellow of the Institute of Electrical and Electronics Engineers and a fellow of the Bell Laboratories. He was also a recipient of the Stuart Ballantine Medal of the Franklin Institute and the Distinguished Alumnus Award of the Ohio State University College of Engineering.
After retiring from Bell Laboratories in 1988, Dr. Kahng became the founding president of the NEC Research Institute, which conducts long-term basic research in computer and communications technologies.
Dr. Kahng is survived by his wife, Young Hee; five children, Kim U. Kahng-Wiesner, Vivienne, and Lily, all of New York City, Eileen, of Oakland, Calif., and Dwight, of Yardley, Pa., and one grandchild.
共同发明人马丁·阿塔拉编辑本段回目录
Dawon Kahng 阿塔拉博士出生在埃及塞得港（Port Said），之后赴美留学。1949年从普度（Purdue）拿到博士学位后，阿塔拉进入贝尔实验室（Bell Laboratories）研究半导体材料的表面特性。通过在硅片晶圆（Wafer）上培养出二氧化硅表层，他终于找到了帮助电流摆脱电子陷阱和散射（electron trapping and scattering）的方法。后人称之为表面钝化（surface passivation）的这项技术，因其低成本和易生产，而成为硅集成电路发展史上的里程碑。
其后，阿塔拉博士建议在场效应晶体管（于19世纪20年代被构想，并于40年代被实验验证，却远非完美的产物）表面运用金属氧化物（metal-oxide-semiconductor）。他把这项任务指派给了组内的韩裔科学家江大原（Dawon Kahng），并一起在1960年的某次学术会议上宣布了他们的成果。
荣登美国国家发明家名人堂编辑本段回目录
Dawon Kahng 由于2009年恰好的积体电路 (integrated circuit)发明的50周年，今年表扬的15位发明家名人堂人士都在半导体相关领域。主办单位将于5月2日扩大在硅谷“电脑历史博物馆”(Computer History Museum)颁奖。
美国专利商标局国家发明家名人堂由美国专利局及知识产权法协会于1973年成立，连同今年十位在世及五位已故入选者在内，已有多达400多位发明家入选。过去亦曾有其他华人入选，包括王安电脑创办人王安。
今年入选美国专利商标局国家发明家名人堂的科学家还有贝尔实验室Martin M. Atalla、Xilinx共同创办人Ross Freeman、英代尔以色列办公室创始人Dov Frohman-Bentchkowsky、RCA实验室液晶显示器技术先锋科学家George Heilmeier、特许半导体(Fairchild Semiconductor)共同创办人Jean Hoerni、德州仪器科学家Larry Hornbeck、贝尔实验室Dawon Kahng、Sprague Ecectronics科学家John Macdougall、Ken Manchester、特许半导体、英代尔共同创办人Gordon Moore、加州理工学院退休教授Carver Mead、科学家Groden Teal、Frank Wanlass、Robert Widlar。
CMOS历史小考 编辑本段回目录
采用CMOS工艺的最大好处就是能够极大地降低芯片的耗电量，CMOS技术为低功耗集成电路打下了基础并成为今日的主流数字集成电路的生产技术。如果没有CMOS工艺，就没有今天的IC制造业，我们也享受不到PC带来的种种便利和乐趣。从某种意义上来说，集成电路发展史是CMOS工艺不断向前推进的历史。那么，CMOS工艺是怎样发展起来的呢？
John Atalla
John Atalla1958年，美国德州仪器公司和仙童公司几乎同时研制出了集成电路芯片，宣告了电子设备微型时代的到来。
1959年，美国贝尔实验室的John Atalla和Dawon Kahng研发出首个绝缘栅型场效应晶体管。场效应管虽然当时速度不如双极型晶体管快，但体积更小，也更省电。
1962年，RCA（美国无线电）制造出基于场效应管的芯片。
1963年，飞兆（也称仙童）半导体公司研发实验室的C. T. Sah 和Frank Wanlass在一篇论文中指出，当处于以互补性对称电路配置连接p-通道和n通道MOS晶体管形成逻辑电路时，这个电路的功耗几乎接近为零。这一发现为CMOS工艺的发展奠定了理论基础。
1964年，通用微电子公司利用MOS工艺制造了第一个计算器芯片组。
1967年，飞兆半导体公司利用MOS工艺制造出8位算术运算及累加器。
1968年，飞兆的Federico Faggin和Tom Klein利用硅栅结构改进了MOS集成电路的可靠性，速度和封装集成度，制成第一个商用硅栅集成电路(飞兆3708)。同年，Burroughs制造出了第一台使用MOS集成电路的计算机（B2500和B3500）。
1971年，Intel推出全球首个单片微处理器Intel 4004，但并未采用CMOS工艺，而是PMOS工艺。
1973年，Intel推出8008，仍采用了PMOS工艺。
1974年，RCA公司推出RCA 1802，首次将CMOS工艺用于微处理器芯片制作。
1975年，IBM推出CMOS RISC芯片。
1978年，Intel推出第二代处理器Intel 8086，改PMOS工艺为NMOS工艺。PMOS利用空穴导电，而NMOS利用电子导电。因此，NMOS在速度上具有优势，它比PMOS管的速度大约快3倍。
1981年：IDT推出64kb CMOS SRAM。
1982年，Intel推出80286处理器，首次将CMOS工艺用于CPU制作。距离CMOS思想的提出，差不多已经过去了20年时间。
1985年，IBM开始在RISC大型机中采用CMOS 芯片，但直到 1997 年IBM才宣布此后所有的大型机都将只配备CMOS 而不再采用双极型晶体管。
参考文献编辑本段回目录
http://60.251.100.131/cdnews_gb/docDetail.jsp?coluid=109&docid=100716389
http://www.nytimes.com/1992/05/28/nyregion/dr-dawon-kahng-61-inventor-in-field-of-solid-state-electronics.html
http://www.nytimes.com/1992/05/28/nyregion/dr-dawon-kahng-61-inventor-in-field-of-solid-state-electronics.html
