摘要:简介 姓名: 孙弘 (教授) 曾从事半导体低维系统电子和光学性质理论研究多年。完成的主要研究工作有:非平整界面量子阱中电子态、极化子态和杂质态能级结构的理论计算,表面超晶格中电子态、磁极化子态和等离子体量子能级及其远红外光吸收的理论研究,以及V型量子线在外电场中电子态的理论计算。自从2000年2月,从事第一性原理材料计算。完成的研究项目有:“c-BC2N结构的第一性原理研究”,“BC3结构和声子谱的第一性原理研究”,“CaB2超导性能的第一性原理计算”。参与的研究项目有:“MgB2超导[阅读全文]