静电感应晶闸管SITH(Static Induction Thyristor)诞生于1972年,是在SIT的漏极层上附加一层与漏极层导电类型不同的发射极层而得到的。因为其工作原理也与SIT类似,门极和阳极电压均能通过电场控制阳极电流,因此SITH又被称为场控晶闸管(Field Controlled Thyristor--FCT)。由于比SIT多了一个具有少子注入功能的PN结,因而SITH是两种载流子导电的双极型器件,具有电导调制效应,通态压降低、通流能力强。其很多特性与GTO类似,但开关速度比GTO高得多,是大容量的快速器件。
SITH一般也是正常导通型,但也有正常关断型。此外,其制造工艺比GTO复杂得多,电流关断增益较小,因而其应用范围还有待拓展。