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IEDM
国际电子设备会议
IEEE国际电子器件大会
摘要:缩略语 全 称 中文解释 IEDM International Electron Devices Meeting 国际电子设备会议 IEDM ,英文全称International E[阅读全文]
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- 半导体器件与微电子学
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半导体器件与微电子学
摘要:业务范围1大规模集成电路系统可分为:超大规模集成电路工艺技术,超大规模集成电路器件物理,超大规模集成电路计算机辅助技术(CAD、CAM、CAT);超高速集成电路工艺技术可分为:超高速器件物理(GaAs、HEMT、超导器件),超高速集成电路材料;半导体光电器件和集成光电子学,半导体光电材料,半导体功率器件与功率集成电路,半导体微波器件与微波集成电路,半导体传感器与集成传感器技术,半导体器件与集成电路的可靠性工程。2课程高等代数,泛函分析,群论,数理统计,数理方程与特殊函数,半导体器件物理,超大规模[阅读全文]
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- 器件
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器件
摘要: 概述 一,二件管(一)(PIN结)(二)(二极管)(三)手机中常见的二极管1,普通二极管,2,发光二极管(LED)3,变容二极管4,稳压二极管5,肖基二极管二,三极管 相关条目 工具 电子 数字[阅读全文]
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- 电荷藕合器件
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电荷藕合器件
摘要: 电荷藕合器件(CCD)随着数码相机、手机相机的兴起,图像传感器正逐渐成为半导体产品中最耀眼的明星之一,而在图像传感器中,日商所独占的CCD传感器与百家争鸣的CMOS传感器都在尽力克服自身的缺点,希望成为市场上的主流技术。 CCD与CMOS传感器技术简介CCD与CMOS传感器是当前被普遍采用的两种图像传感器,两者都是利用感光二极管(photodiode)进行光电转换,将图像转换为数字数据,而其主要差异是数字数据传送的方式不同。造成这种差异的原因在于:CCD的特殊[阅读全文]
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- 无源器件
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无源器件
摘要:无源器件是微波射频器件中重要的一类,在微波技术中占有非常重要的地位。无源器件定义微波射频器件分为无源和有源两大类,区分两者的标准是看该器件建立起的等效电路模型中是否含有电源(电压源或者电流源),若器件等效电路模型中无电源,该器件被称为无源器件。主要器件无源器件主要包括电阻,电容,电感,转换器,渐变器,匹配网络,谐振器,滤波器,混频器和开关等。光无源器件光无源器件是光纤通信设备的重要组成部分。它是一种光学元器件,其工艺原理遵守光学的基本规律及光线理论和电磁波理论、各项技术指标、多种计算公式和各种测[阅读全文]
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- 有源器件
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有源器件
摘要:有源器件是微波射频器件中重要的一类,在微波技术中占有非常重要的地位。有源器件定义微波射频器件分为无源和有源两大类,区分两者的标准是看该器件建立起的等效电路模型中是否含有电源(电压源或者电流源),若器件等效电路模型中有电源,该器件被称为有源器件。分类有源器件的类型主要分为:电子管,晶体管,集成电路。1.电子管电子管又名真空管,所以又称为电真空器件。电子管电子管不论二极还是多极,它都有阳极和阴极,阴极在外加电源的作用下,发射电子向阳极流动。外加电源可以直接加在阴极上,也可以加在另外的加热灯丝上。就是[阅读全文]
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- 电子器件
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电子器件
摘要:【词语】:电子器件 【注音】:diàn zǐ qì jiàn 【释义】:在真空、气体或固体中,利用和控制电子运动规律而制成的器件。分为电真空器件、充气管器件和固态电子器件。在模拟电路中作整流、放大、调制、振荡、变频、锁相、控制、相关等用;在数字电路中作采样、限幅、逻辑、存储、计数、延迟等用。充气管器件主要作整流、稳压和显示之用。固态电子器件如集成电路。[阅读全文]
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- 二氧化锡纳米线常温氢气传感器件
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二氧化锡纳米线常温氢气传感器件
摘要: 概述 利用AFM微细加工技术首次制备了二氧化锡纳米传感器件。该传感器在常温下对氢气非常敏感且具有很好的选择性,可以作为检测环境中氢气浓度的传感器。纳米气体传感器件由于尺寸小,反应区域仅仅在数千个分子的区域,排除了复杂的表面反应,可以大大提高稳定性和选择性,而且功耗低,达到常温工作的目的。加工过程中不需要热处理工艺,使半导体氧化物材料和硅材料的结合非常简单,容易做到集成化。 相关条目 传感器件 氢气 纳米气体 硅[阅读全文]
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- 存储器件
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存储器件
摘要:存储器 广义的存储器件是指能容纳一定事务的容器,这里主要介绍计算系统的的物理介质存储设备。存储器件是计算机系统中的记忆设备,用来存放程序和数据。现代计算机的发展与存储设备息息相关。存储器概述 存储器 :存放程序和数据的器件; 存储位:存放一个二进制数位的存储单[阅读全文]
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- 亚微米和深亚微米MOS器件
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亚微米和深亚微米MOS器件
摘要:亚微米和深亚微米MOS器件通常把0.8-0.35um称为亚微米,0.25um及其以下称为深亚微米,0.05um及其以下称为纳米级。深亚微米制造的关键技术主要包括紫外光刻技术、等离子体刻蚀技术、离子注入技术、同互连技术等。目前,国际上集成电路的主流生产工艺技术为0.18-0.25um,预计2006年主流加工技术将提高到0.lum,2012年将达到0.05um,进入纳米级。 深亚微米集成电路要求硅单晶材料向大直径和无(少)缺陷方向发展.对于已开始应用的300毫米硅单晶而言,磁场拉晶、计算机模拟、线切[阅读全文]
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- 电子束半导体器件
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电子束半导体器件
摘要:电子束半导体器件 正文 利用电子束电流控制半导体中载流子运动来完成各种功能的器件。它兼有真空电子器件和半导体器件的特点。可实现增益、带宽、响应速度和效率之间的有益结合,并能制成不同类型的专门器件,以完成各种复杂功能。 半导体靶受高能电子轰击后,具有很高的电流增益,而且响应速度快,输出能力大,并能产生受激发光效应。电子束半导体器件,就是以真空电子器件的电子束(调制方式可采用速度调制、密度调制、偏转调制等,束形和尺寸可根据要求设计)来轰击半导体靶(靶的尺寸、数量、形状均可根据要求配置[阅读全文]
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- 电荷耦合器件
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电荷耦合器件
摘要:电荷耦合器件 正文 由时钟脉冲电压来产生和控制半导体势阱的变化,实现存储和传递电荷信息的固态电子器件。实际上电荷耦合器件 (CCD)是一种用电荷量来表示不同状态的动态移位寄存器。 1969年,美国贝尔实验室的W.S.博伊尔和G.E.史密斯在探索磁泡器件的电模拟过程中,产生了电荷耦合器件的原理设想,并在实验中得到验证。他们提出,紧密排列在半导体绝缘表面上的电容器,可用来储存和转移电荷。初期的CCD存储和转移信号电荷的势阱都位于硅-二氧化硅界面处,即所谓表面沟道CCD。1972年D.[阅读全文]
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- 感光器件
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感光器件
摘要:感光器件提到数码相机,不得不说到就是数码相机的心脏——感光器件。与传统相机相比,传统相机使用“胶卷”作为其记录信息的载体,而数码相机的“胶卷”就是其成像感光器件,而且是与相机一体的,是数码相机的心脏。感光器是数码相机的核心,也是最关键的技术。数码相机的发展道路,可以说就是感光器的发展道路。目前数码相机的核心成像部件有两种:一种是广泛使用的CCD(电荷藕合)元件;另一种是CMOS(互补金属氧化物导体)器件。概念感光器件电荷藕合器件图像传感器CCD(Charge Coupled Device),它使[阅读全文]
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