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IC技术发展史 发表评论(0) 编辑词条

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IC技术发展简史编辑本段回目录

IC技术发展简史
1940s - 起步阶段 - 原创性的发明使得集成电路技术成为可能

1940 - PN结(junction)

虽然早在1833年法拉第就已经发现化合物半导体的特性,1873年W.Smith使用硒制造出工业整理器和早期的光电器件,1874年德国物理学教授 Feidinand Braun观察到金属丝-硫化铅的整流特性并在其后用作检测二极管。但是直到20世纪40年代,贝尔实验室Bell Labs)的Russel Ohl才开发了第一个对集成电路来讲具有严格意义上的PN结(junction):当该PN结暴露在光源下的时候,PN结两端产生0.5V 的电压。顺便提一句,那个时代Bell实验室在材料研究上具有很强大的力量,正是这个领导力量开创了半导体技术的纪元。

1945 - 三极管(Transistor)发明

1945年,Bell Labs建立了一个研究小组探索半导体替代真空管。该小组由William Shockley领导,成员包括John BardeenWalter Brattain等人。1947年Bardeen和Brattain成功使用一个电接触型的“可变电阻”-即今天被称为三极管“Transistor”的器件得到放大倍数为100的放大电路,稍候还演示了振荡器。1948年,Bardeen和Brattain提交了一份专利申请并在1950年被授予 Bell Labs - 这就是美国专利US2,524,035, "Three Electrode Circuit Element Utilizing Semiconductive Materials".

1950s 集成电路雏形 - 集成电路出现

1951 - 发明结型三极管(Junction Transistor)

1951年,William Shockley推出了结型晶体管技术,这是一个实用的晶体管技术,从此难以加工的点接触型晶体管让位于结型晶体管,在20世纪50年代中期,点接触型晶体管基本被替代。1954年晶体管已经成为电话系统的必备元件,Bell实验室在生产晶体管的同时也向其他公司发放生产许可并从中提成(royalty),在这个时候,晶体管开始进入无线电和助听器领域。1956年,由于晶体管发明的重要性,Bardeen、Brattain和 Shockley被授予诺贝尔奖(Nobel Prize)。 1952 - 单晶硅(Single crystal silicon)制造技技术

1952 - 集成电路(Integrated Circuit - IC)的概念提出

1952年5月7日,英国的雷达科学家 Geoffrey W.A. Dummer在华盛顿特区提出了集成电路的概念,即文章"Solid block [with] layers of insulating materials". 1956年的尝试以失败结束,但是作为提出IC概念的先驱,Dummer是IC史册不可缺的一页。

1954 - 第一个商业化的晶体管

1954年5月10日,德州仪器(TI)发布了第一款商用的晶体管 -Grown-Junction Silicon Transistors。晶体管通过在硅晶体表面切割一个矩形区域获得,硅晶体通过含杂质的熔化炉生长得到。硅晶体管和锗晶体管相比,具有廉价和高温特性好的优点。

1954 - 氧化、掩膜工艺(Oxide masking)

Bell实验室开发出氧化(oxidation)、光掩膜(photomasking)、刻蚀(etching)和扩散(diffusion)工艺,这些工艺在今天的IC制造中仍在使用。 1954 - 第一个晶体管收音机问世
工业开发工程师协会(Industrial Development Engineer Associates)设计并生产了世界第一个晶体管收音机 - Regency TR-1,它使用4个德州仪器(Texas Instruments)制造的锗(Germanium)晶体管。 1955 - 第一个场效应晶体管问世
又是Bell实验室的杰作。

1958 - 集成电路被发明

1958年7月24日,德州仪器(Texas Instruments)的雇员Jack Kilby,在笔记本中写道:如果电路元件,比如电阻,电容可以使用同种材料制造,则有可能将整个电路加工在单个片子上“single chip“。当时的真空条件很差的情况下,Kilby于当年的9月12日制造了具有5个集成元件的简单振荡电路,1959年Kilby提交了专利申请 US3,138,743:"Miniaturized electronic circuits"并获得授权。2000年Kilby和其他两位物理学家一起分享了诺贝尔物理奖

1959 - 平面技术(Planar technology)问世

Kilby的发明存在严重的缺陷:电路的元件依赖于金丝连接,这种连线上的困难阻碍了该技术用于大规模电路的可能。直到1958年后期仙童Fairchild)公司瑞士出生的物理学家Jean Hoerni开发出一种在硅上制造PN结的结构,并在结上覆盖了一层薄的硅氧化层作绝缘层,在硅二极管上蚀刻小孔用于连接PN结。Sprague Electric捷克出生的物理学家Kurt Lehovec开发出使用PN结隔离元件的技术,这个问题才得以解决:1959年,也是仙童公司雇员的Robert Noyce产生了组合Hoerni's and Lehovec's工艺并通过在电路上方蒸镀薄金属层连接电路元件来制造集成电路的想法。平面工艺开始了复杂集成电路时代并沿用到今天。
1960s - 改进的产品和技术 - MOS, CMOSBiCMOS, Moore's 定律

1960 - 外延沉积/注入(Epitaxial deposition)技术

    Bell实验室开发出外延沉积/注入(Epitaxial Deposition)技术,即将材料的单晶层沉积/注入到晶体衬底(crystalline substrate)上。外延沉积/注入技术广泛用于双极型(bipolar)和亚微米(sub-micron)CMOS产品的加工工艺。

1960 - 第一个MOSFET问世

Bell实验室的Kahng制造了第一个MOSFET。 1960 - 0.525英寸硅圆片(Wafer)出现

1961 - 第一颗商用的集成电路(IC)问世

仙童(Fairchild)和德州仪器(Texas Instruments)共同推出了第一颗商用集成电路。
1962 - 发明TTL逻辑(Transistor-Transistor Logic)

1962 - 半导体工业销售额超过10亿美金($1-billion)

1963 - 第一片MOS集成电路

RCA制造出第一片PMOS集成电路 1963 - 发明互补型金属氧化物半导体(CMOS)
仙童公司的Frank Wanlass提出并发表了互补型MOS(complementary-MOS - CMOS)集成电路的概念。 Wanlass最初意识到由PMOS和NMOS晶体管构成的电路仅需要很小的工作电流,开始他试图给出一个单芯片的解决方案,但最终不得不以分立元件来验证这个想法。当时还没有增强型(Enhancement)的NMOS管,Wanlass不得不使用耗尽型(depletion)的器件,通过将器件偏置到关断状态来实现电路。CMOS的静态电流要比等效的双极型(Bipolar)和PMOS型的逻辑门低6个数量级,这个结果简直是疯狂的。1963年6月18日,Wanlass提出专利申请,1967年12月5日获得授权,专利号:US3,356,858,"Low Stand-By Power Complementary Field Effect Circuitry"。今天CMOS是应用最广泛的、高密度集成电路的基础。 1964 - 第一个商用的接触打印机(contact printer)
# 接触打印技术是20世纪70年代大量使用的在集成电路WAFER表明加工图形(patterns)的技术。

1964 - 1英寸硅圆片(wafer)出现

1965 - 摩尔定律(Moore's law)
  1965年,Gordon Moore,仙童半导体公司的研发主管,撰写了一篇题为"Cramming more components onto integrated circuits"的文章。文中,Moore观察到"The complexity for minimum component cost has increased at a rate of roughly a factor of two per year"(这句话不译,实在是因为中文流传的表述太多了,无论写哪一种译法都难免让知道这个定律一种表述的人产生不严肃的想法-以为我译错了,反正这句英文也不难懂),这就是著名的摩尔定律:每年芯片的元件数量要翻一翻,后来这一表述又修正为每18个月芯片的元件数量翻一翻。值得一提的是,直到今天,摩尔定律仍符合半导体行业发展的现状-真是人有多大胆,地有多大产。

1965 - 100位的移位寄存器(100-bit shift register)

  在这年,具有600个晶体管的100位移位寄存器-GME,160个晶体管的21位静态寄存器-GI,150个晶体管的二进制-十进制(Binary-Digital)译码器-TI,诞生了。

1966 - 16位的双极型存储器(memory)

  IBM在为NASA开发的360/95系统上使用了一种16位的双极型存储器。 1966 - 第一块双极型的逻辑
  摩托罗拉(Motorola)推出了第一块具有3个输入的发射极耦合逻辑(Emitter-Coupled-Logic - ECL)的门集成电路。 1966 - 发明单晶体管动态存储器(DRAM)单元
  IBMRobert Dennard博士参加了一个薄膜磁存储技术的座谈,薄膜磁存储技术组使用了一块小磁体和邻近的一对信号线实现1个比特(二进制位)的存储,几个月后 Dennard博士提出一个二进制位可以存储在电容上,一个场效应管(FET)可以用于控制充放电。单晶体管的DRAM单元出现了,所有现代的DRAMs 都是基于1个晶体管实现的。

1966 - 1.5英寸的硅圆片开始使用

1967 - 浮栅(Floating gate)技术出现
  Bell实验室的KahngSze在Bell的技术杂志上阐述了在存储技术中使用浮栅其间的方法,今天浮栅技术是制造EEPROMs的通用技术。

1967 - NMOS技术

  Wegener、Lincoln、Pao、O'Connell和Oleksiak发布了NMOS晶体管及其在存储技术中的使用,浮栅技术开始用于EEPROMs的制造。

1968 - 64位双极型阵列(array)芯片

  IBM在其360/85系统中使用了64位双极型阵列作为高速缓存,该芯片具有64个存储单元和664个器件。

1969 - 发明了BiCMOS

Lin、HoIyerKwong在IEDM发表了"Complementary MOS-Bipolar Transistor Structure",揭示了BiCMOS的概念。

1970s - 驱动市场的新产品和技术

1970 - 首个NMOS集成电路

  IBM的Cogar等人完成首个金属栅的NMOS集成电路流片(fabricate) 1970 - 首个商用的动态随机存储器(DRAM):容量1Kbits(位)
# 大约1969年,霍尼韦尔的William Regitz在寻求一个半导体厂商合作开发由他及其合作者一种新型的动态存储器(DRAM)单元(Cell)。Intel对这项技术表现出兴趣,并为之启动了一个开发计划,最初的产品被称为i1102。虽然开发出了可以工作的元件,但是1102的确存在问题。基于Ted Hoff已经做的工作,当时主要是寻求3个晶体管(Transistor)的DRAM单元结构,也许是Ted Rowe提出了埋层接触孔(buried contact)的想法,Leslie VadaszJoel Karp后来又提出了其他办法的原理图,整个设计由Bob Abbott来完成,最终的产品是i1103并在1970年的10月份正式推向市场。该产品存在成品率问题,产品经理John Reed不得不做了很多改进的版本直到成品率问题解决并具有良好的性能。i1103使用6层MASK,采用8μm硅栅PMOS工艺,具有2,400μm2 的存储单元面积,Die的尺寸差不多是10mm2,售价$21. 1970 - IBM使用半导体存储器替代磁存储器
IBM在其370的145型号上全部采用半导体存储器。

(图)Dov FrohmanDov Frohman

1970 - 2.25英寸硅园片使用

1971 - 发明紫外擦除的电可编程存储器(UVEPROM)

  Dov Frohman在1969年1Kbit DRAM发布不久之后加入Intel,发明了用于存储程序的电可编程程序存储器(EPROM),而且这种存储器能够保留数据直到使用一定强度的紫外线擦除它的数据。Forhman是第一个UVEPROM发明者、设计者和加工制造者。

1971 - 微处理器(Microprocessor)发明

  到1969年的时候,有关可编程处理器(Microprocessor)的概念已经在工业界广为流传了,但是没有人有能力制造这样复杂的东西。Intel却好在那时候开发出一种硅栅工艺,这种工艺使得Intel比同期的半导体厂商具有支持更为复杂电路的制造能力。日本的计算器制造商Busicom要求Intel生产一种台式计算器的晶片组,晶片组共有12个芯片。虽然Intel那时的主要精力在存储芯片上,但是他们还是认真地考虑了这个项目。Intel的Ted Hoff设计12个芯片的晶片组太过复杂,于是决定寻求一种可编程的解决方案。组合了Busicom需求和Intel工艺能力,Intel的管理层决定接受Busicom的要求并签下了$60,000的合同。Hoff设计了一套简单的指令集,这些指令集可以使用相对较少的晶体管来实现(厉害)。大约6个月的时间,这个项目处境窘迫,直到1970年Federico Faggin加入Intel并负责芯片的设计任务。在Faggin上班的第一天,他就和Busicom的代表Masatoshi Shima产生对抗,Masatoshi Shima对过去的6个月项目毫无进展非常失望,经过一番讨价还价,Busicom同意继续开展这个项目,经过连续8个月、每天12-16个小时的努力(这就是创业初期的样子),第一个硅片终于出来了,但是-不工作。问题是一些简单的加工错误。在 1971年,Intel 4004,第一款4位微处理器诞生了,4004是一个包含3个晶片的晶片组:具有2KBit的ROM芯片,320Bit的RAM芯片和一个4位的处理器,每个芯片都采用16管脚的DIP封装。4004处理器一共使用了2,300个晶体管,适用PMOS硅栅工艺,10μm的最小线宽,108KHz时钟输入,芯片(DIE)的面积为13.5mm2。但是Intel并不拥有4004的所有权,直到后来Busicom要求降低采购价格的时候,Intel 才乘机拿回对该技术的所有权。到1972年,Faggin和Shima(已经加入Intel)一起开发了8008-8位微处理器以取代4004。1974年,Intel发布了第一款商业上极为成功的微处理器8080。

1972 - 发明数字信号处理器(DSP-Digital Signal Processor)

  Westinghouse的John Murtha等人申报了题为"Programmable Digital Signal Processor"的专利,专利不仅阐述了DSP还描述了saturation arithmetic,这是一个直到今天在DSP处理器中都普遍存在、防止溢出的关键概念。1974年这个专利获得授权,专利号:US 3,812,470。 1972 - 具有比例缩放特性MOS晶体管(MOSFET Scaling)
  1970年,IBM在寻求一种技术以降低RAM的成本,从而使RAM的Bit成本降低到磁存储的Bit成本以下。Dale Critchlow的项目组被要求将每Bit的成本降低到一毫分的水平。在IBM向Critchlow汇报小组由Bob Dennard管理,小组包括Fritz GaensslenLarry Kuhn等人,开发单管的DRAM是很好的选择,但是对Cell的尺寸要作很大的缩减(Shrink)才能达到经济性能要求。Critchlow和 Dennard决定将当时的5μm工艺缩减(Shrink)到1μm。Dennard和Gaensslen推导出定常电场的比例缩减定律及其极限。最著名的结论是:如果MOSFET按比例缩减时电场保持常量,则几乎其他所有的晶体管特性都有改善!项目组继续开发1μm器件的设计规则(Design Rules)并在1972年的IEDM上发表了一篇论文。这项工作在1974年的IEDM由Dennad等人继续深化,这就是在半导体器件比例缩减方面最经典的文献:"Design of Ion-Implanted MOSFET's with Very Small Physical Dimensions"。尽管当时没有被普遍认同,比例缩减定律最终终结了双极型(Bipolar)在集成电路领域的统治地位,原因在于双极型工艺不能像 MOSFET那样按比例缩减。在20世纪的90年代初期,MOSFET技术成为高端、高速集成电路的主流工艺。

1972 - Intel 8008

  8080微处理器是Intel的4位微处理器4004的后继版本,被用于最初的家用计算机 Mark-8中。8008同样使用10μm线宽的硅栅PMOS工艺(和IBM差得太多,这对一些片面追求最小线宽,认为这样就算是达到集成电路技术高端的人很有教育意义),1层多晶(Polysilicon),1层金属层,8008一共有3,500个晶体管,使用200KHz时钟,芯片的DIE尺寸是 15.2mm2。

1973 - 商用的双极型-CMOS(BiCMOS)技术

  Polinsky、Schade和Keller向IEDM提交了一份名为"CMOS-Bipolar Monolithic Integrated Circuit Technology"的文献。金属栅的BiCMOS技术被用于加工运算放大器(operational amplifiers) 1973 - 发明照片放大器(Projection Printer)
  Perkin Elmer发明了照片放大器,现在称为SVG平板印刷技术(Lithography),它在20世纪70年代中期和正光刻胶的使用给光刻(photolithography)技术带来了革命性变化:掩膜(MASK)的缺陷大大降低,相应的,集成电路的成品率有了很大的改善。

1973 - 开始使用3英寸的硅片

1974 - 首个具有1个晶体管的4Kbit的DRAM问世

  使用硅栅NMOS工艺的单个晶体管Cell的4Kbit DRAM问世。在DRAM技术史上,单个Cell由3个晶体管转向1个晶体管设计是第一次大的技术转变。硅栅的NMOS工艺需要6层掩膜(MASK),使用8μm线宽的工艺。产品的Cell面积为1,280μm2,芯片的DIE尺寸约15mm2,最初的售价大约为$18。 1974 - Intel 8080
  8080被用于Altair计算机。8080是使用6μm线宽的硅栅NMOS制造,工艺包含1层多晶(polysilicon)和1层金属。8080具有6,000个晶体管,时钟频率2MHz,芯片的DIE尺寸约20.0mm2。

1975 - 使用100mm的园硅片

1976 - 16Kbit的DRAM出现
  16Kbit的DRAM使用2层多晶(polysilicon)从而允许单个的存储Cell有更高的布线效率。使用2层多晶工艺是DRAM史上的第2次大变革。2层多晶的NMOS工艺使用7层掩膜(MASK),最小线宽5μm,DRAM产品的Cell面积约500μm2,芯片的DIE尺寸约19mm2,初期的售价约$33。

1978 - Intel 8086/8088

  8088被IBM选中用于IBM PC,历史上最大的半导体设计赢家产生了。8088/8086使用3μm的硅栅NMOS工艺,1层多晶(Polysicion),1层金属,8088/8086有29,000个晶体管,5-10MHz的时钟频率,28.6mm2的DIE尺寸。两个处理器都使用16位的设计,唯一不同之处是8086使用16位总线,而8088使用8位总线。 1978 - 步进和重复系统(Step and Repeat System)被发明
  GCA推出这样的系统用于圆硅片曝光,这种技术在20世纪80年代由于精度的改善给光刻技术带来了革命,并允许最小线宽进一步缩减。 1978 - 集成电路工艺的年营业额超过100亿$($10-billion)

1979 - 64Kbit DRAM 出现

  64Kbit的DRAM使用2层硅栅的NMOS工艺制造,工艺的其它特征:8-10层MASK,3μm最小线宽。DRAM的Cell面积缩减到180μm2,芯片DIE尺寸约31mm2,初期售价约$47。 1979 - 125mm的圆硅片出现

1980s - 先进的技术和产品 - EEPROMFlash

1980 - 现代数字信号处理器(DSP)进入商用

  “现代”的定义是指单个芯片的DSP,并且是具有可编程能力、并行加法器和并行存储访问能力的解决方案。第一款商用的的DSP由Lucent(不是茉莉山庄的画不圆的圈,那是1996年贝尔拆分成立的。记得当时去学校招聘,有一个短片讲述Lucent这个如何有创意,看到这里大家想想不是那样的了吧)和 NEC在1980年推出。早期推出的产品,比如:1978年推出的AMI S2811需要使用一个微处理器来完成初始化(Initialization)和配置(Configuration),Intel的1979年推出的 2920缺少乘法器。

1980 - IBM选择Intel的8088处理器用于个人计算机PC)产品

1981 - 150mm的圆硅片开始使用

1982 - 256Kbit DRAM问世

  最初,256Kbit的DRAM使用2层多晶的NMOS工艺制造,使用8-10层光掩膜板,最小线宽为2μm。芯片的存储单元(Cell)面积为70μm2,芯片的DIE尺寸为45mm2,初期的售价约$51美元,很快就转移到1.5μm的CMOS工艺上生产。大概在这个时候,经济学家们确认半导体产业可以得到很好的发展,这些大牌的经济学家甚至不使用计算机,他们使用的使自己的专业领域的知识作出的判断:以DRAM而言,1970年的$21/1Kbit,到1982年的 $51/256Kbit,单个存储Bit的售价降低为7.66/10^5。销售价格的不断降低,性能和容量却不断提升,这个明显的矛盾,然而发展方向如此,一个普遍适应的经济规律是:人们一定会为这个东西找到合适的应用-大规模的应用。

1982 - Intel 80286问世

  80286的问世是一个标志性的事件:它在提升处理器性能的同时保持软件后向的兼容能力。80286使用硅栅CMOS工艺制造,工艺特征;最小线宽1.5μm,1层多晶,2层金属。80286具有134,000个晶体管,6-12MHz的时钟频率,68.7mm2的DIE尺寸。

1983 - CMOS工艺的DRAM问世

  Intel开发出1Mbit的CMOS DRAM,这是世界上第一款CMOS工艺的DRAM,有意思的是Intel很快退出了DRAM业务。

1983 - 电可改写的程序存储器(EEPROM)问世

  16Kbit容量的EEPROMs使用浮栅NMOS工艺制造 1984 - 发明Flash存储器
  东芝Toshiba)的Masuoka等人在IEDM发表了一种能够快速(Flash就是说擦除向Flash那样快的意思)块(Block)擦除的电可编程-非易失性存储器。这种存储器的Cell结构只需要一个晶体管而不是传统的电可改写程序存储器(EEPROM)那样每个Cell要两个晶体管。

1985 - 商用的Flash存储器问世

  东芝(Toshiba)在1985年推出一款256Kbit容量的FLASH存储器。

1985 - Intel 80386DX

  80386是Intel的第一款32位处理器。使用硅栅的CMOS工艺制造,工艺最小线宽1.5μm,10层掩膜,1层多晶,2层金属层,晶体管数量275,000个,具有16-33MHz的主频,芯片的DIE尺寸104mm2。 21世纪初,在造芯运动中,国内很多学校、研究机构和公司在处理器方面也进行了“赶美”,但是在比对的时候很多方面进行了故意的忽略: * 使用的工艺:Intel 80386 1.5μm,国内-至少0.35μm或以下;
    * 掩膜层数: Intel 10层,国内-一般在26层以上;
    * 设计工具: Intel 不祥,国内-使用百万元量级的硬件描述语言(HDL)、仿真和综合工具,依赖于Foundry提供的工艺库和提供后端(backend)布局布线,甚至,片上的电源等设计也依赖于Foundry提供。这些软件厂商包括:Avanti(已被Synopsys收购)、Cadence和Synopsys,他们的软件性能已经在远远超出386能力的芯片上得到验证。
    * 环境: Intel 不祥,国内-可以从ARM\MIPS等软核供应商采购不同验证级别的设计,即使自己设计,80386的指令体系也已经公知,有大量的工程师熟知和适用。  
  * 加工: Intel 不祥,自有的制造体系,国内-合资、新加坡、马来西亚甚至日本成熟的半导体代工厂商(Foundry)在这里要说明一点,这个比较并不是在技术发展的今天要求人们使用原始的方法去做设计,只是从一个侧面表明这些成就并不像说的那样值得自豪。有些报道甚至将之与国内史上的“两弹一星做比较”,国内一些媒体也不断发出“国外大公司技术封锁”的叫嚣,其实远不至如此:在半导体方面的封锁远不如军事技术上利害,国家所处的国际环境也不是建国初期的那样窘迫。这应了一句老话:第一个说女人是花的是天才;第二个说女人是花的是庸才;第三个在这么说就是蠢才。

1985 - 200mm圆硅片开始使用

1986 - ETOX的Flash出现

  256Kbit的容量,Intel的产品。现在ETOX是Flash储存期最普遍的风格。顺便提一句,在相当长的一段时间内,当Intel在国内以处理器的代名词出现的时候,它实际上最大的利润源是为通讯设备提供Flash存储芯片,真是”包子有肉不在褶上“。

1986 - 1Mbit的DRAM

  1Mbit容量DRAM的Cell是非平面类型的,当然也有一些产品是平面类型的。由平面型 Cell向非平面的堆叠型Cell转变是DRAM历史上的第三次大变革,它使用的CMOS工艺需要18层左右掩膜(MASK),2-3层多晶,最小线宽在 1.2μm,存储Cell的大小25μm2,芯片的DIE尺寸为70mm2,初期的售价为约$100(至此,单个Bit的售价已经降低到5/10^6)。

1988 - 4Mbit容量的DRAM

  4Mbit容量的DRAM的CMOS加工工艺特征:20-25层MASK,2-3层Polysilicon,2层Metal,最小线宽0.8μm。所有的 4Mbit的DRAM都采用非平面的Cell结构,因此1Mbit的DRAM是随后一种平面型的Cell。Cell的面积为12μm2,芯片的DIE尺寸95mm2,初期的售价约$124,稍后采用更小的线宽工艺以降低DIE尺寸。

1989 - Intel 80486DXTM

  80486是Intel的第一款带浮点处理功能的处理器(80386是以独立的浮点协处理器80387的形式出现的,当时实验室的一个老师一下班就将他拿下来带走,然后我们眼睁睁看着Matlab不能运行,那个上火),而且为单时钟脉冲-单指令处理结构。80486采用1.0μm线宽的硅栅CMOS工艺, 12层MASK,1层Polysilicon和3层Metal,具有1.2百万个晶体管,25-50MHz时钟频率,芯片的DIE面积为163mm2。
1990s - 持续改进的技术 - 技术进一步深化

1991 - 16Mbit DRAM

  使用CMOS工艺制造的16Mbit DRAM问世,工艺特征:3到4层polysilicon,2层金属,0.5μm最小线宽。产品的存储Cell尺寸4.2μm2,DIE的尺寸约130mm2,初期的售价$275,稍后使用更小的线宽以减小DIE的尺寸。顺便提一句,很多CMOS工艺的创意都是在较大线宽的工艺线上完成设计,然后使用CMOS的 Shrink特征,进行经济的量产。比如CMOS图像传感器,最初就是在斯坦福.8μm工艺上完成的,但量产基本上在0.18μm一下的工艺上进行。这对我们片面追求工艺的最小线宽又是一个很好的故事。

1993 - Intel Pentium(TM)

  奔腾Pentium)处理器是Intel第一个能在单时钟内执行1条以上指令的处理器。Pentium使用硅栅BiCMOS工艺制造,最小线宽0.8μm,共18层MASK:1个polysilicon,3个金属层。Pentium 处理器有3百1十万个晶体管,最高66MHz的时钟频率,芯片DIE尺寸264mm2。注意Pentium是注册商标(TM),这意味着其它微处理器制造商不能像在X86时代那样,由Intel完成产品的推广,而其它厂商只需要跟进。其后的年代里,微处理器制造商进行了惨烈的淘汰,只剩下AMD和Intel周旋。

1994 - 半导体工业年销售额超过1,000亿美元

1994 - 64Mbit DRAM

  64Mbit的DRAM使用0.35μm的CMOS工艺制造,工艺特征:3到5层polysilicon,2到3层金属。存储Cell单元的面积1.5μm2,DIE的尺寸约170mm2,初期的产品售价约$575,和历史上的大容量DRAM的发展历程相同,64Mbit的DRAM很快使用更小线宽的工艺进行Shrink。 1995 - Intel Pentium Pro处理器(TM)
# Pentium Pro引入了一种dual cavity的封装形式:Pentium Pro芯片和一个缓存(Cache)芯片封装在一起,Cache的总线(Bus)速率和处理器的速率相同。Pentium Pro处理器使用0.35μm的硅栅BiCMOS工艺制造,需要20层MASK,包括:1层polysilicon,4层金属,具有5百50万个晶体管,时钟频率150到200MHz,DIE面积310mm^2。

1996 - 使用300mm圆硅片

1997 - Intel Pentium II(TM)

  Pentium II使用了不同于Socket的卡式(cartridge)式封装。Pentium II处理器使用0.35μm的硅栅CMOS工艺制造,需要16层MASK,包括:1层polysilicon,4层金属,具有7百50万个晶体管,时钟频率233到300MHz,DIE面积209mm2。

1998 - 256Mbit DRAM

  256Mbit的DRAM最初使用0.25μm的CMOS工艺制造,4到5层polysilicon,2到3层金属。256Mbit的DRAM首次使用一种被称为High-K的介质材料,尽管很多产品不是使用High-K材料,但是High-K材料的使用是DRAM的第四次技术大变革,产品的DIE尺寸约为204mm2,初期的售价在$575左右。

1999 - Intel Pentium III(TM)

Pentium III处理器重新回到标准的PGA封装形式,Cache被集成到处理器内部,使用0.18μm的硅栅CMOS工艺制造,21层MASK,1层 polysilicon,6层金属。处理器具有2千800万个晶体管,始终频率:500-733MHz,DIE面积约140mm2。

2000s - 千禧年后的新世纪有什么变化?

2000s - 千禧年后的新世纪有什么变化? - 请继续和我们一同关注.

2000 - Intel Pentium 4(TM)处理器

Pentium 4处理器引入了一种运行在处理器速度2倍的整形单元。使用0.18μm的硅栅CMOS工艺制造,21层MASK,包括1层polysilicon,6层金属,具有4千200百万个晶体管,始终频率:1.4-1.5GHz,DIE尺寸224mm2。

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